SIHB6N80AE-GE3
| ： | SIHB6N80AE-GE3 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | E SERIES POWER |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | E |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 950mOhm @ 2A, 10V |
| 功耗（最大） | 62.5W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-263 (D2PAK) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 800 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 422 pF @ 100 V |
